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参数资料
| 型号： | CPC3703CTR |
| 厂商： | CLARE INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 中文描述： | 0.36 A, 250 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | CPC3703CTR |
www.clare.com
2
CPC3703
R03
Absolute Maximum Ratings are stress ratings. Stresses in
excess of these ratings can cause permanent damage to
the device. Functional operation of the device at conditions
beyond those indicated in the operational sections of this
data sheet is not implied.
Absolute Maximum Ratings
Electrical Characteristics
Parameter
Ratings
Units
Drain-to-Source Voltage
250
V
Gate-to-Source Voltage
±20
V
Total Package Dissipation 1
1.6
W
Operational Temperature
-55 to +125
C
Storage Temperature
-55 to +125
C
1 Mounted on 1"x1" FR4 board.
Package
I
D (continuous)
I
D (pulsed)
Power Dissipation
@T
A=25C
θ
jc
C/W
I
DR
I
DRM
SOT-89
360mA
600mA
1.6W
15
360mA
600mA
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Drain-to-Source Breakdown Voltage
BV
DSX
V
GS= -5V, ID=100A
250
-
V
Gate-to-Source Off Voltage
V
GS(off)
V
DS= 15V, ID=1mA
-1.6
-
-3.9
V
Change in V
GS(off) with Temperature
dV
GS(off) /dT
V
DS= 15V, ID=1mA
-
4.5
mV/C
Gate Body Leakage Current
I
GSS
V
GS=±20V, VDS=0V
-
100
nA
Drain-to-Source Leakage Current
I
D(off)
V
GS= -5V, VDS=Max Rating
-
1
A
V
GS= -5V, VDS=200V, TA=125C
-
1
mA
Saturated Drain-to-Source Current
I
DSS
V
GS= 0V, VDS=15V
300
-
mA
Static Drain-to-Source On-State Resistance
R
DS(on)
V
GS= 0V, ID=200mA
--
4
Ω
Change in R
DS(on) with Temperature
dR
DS(on) /dT
-
1.1
%/C
Forward Transconductance
G
FS
I
D= 100mA, VDS = 10V
225
-
m
Input Capacitance
C
ISS
V
GS= -5V
V
DS= 25V
f= 1MHz
-
327
350
pF
Common Source Output Capacitance
C
OSS
51
65
Reverse Transfer Capacitance
C
RSS
27
35
Turn-ON Delay Time
t
d(on)
V
DD= 25V
I
D= 150mA
V
GS= 0V to -10V
R
GEN= 50Ω
-
23
35
ns
Rise Time
t
r
820
Turn-OFF Delay Time
t
d(off)
17
25
Fall Time
t
f
70
80
Source-Drain Diode Voltage Drop
V
SD
V
GS= -5V, ISD=150mA
-
0.6
1.8
V
Ω
90%
10%
90%
10%
PULSE
GENERATOR
V
DD
R
L
OUTPUT
D.U.T.
t
(ON)
t
d(ON)
t
(OFF)
t
d(OFF)
t
F
t
r
INPUT
OUTPUT
0V
V
DD
R
gen
0V
-10V
Switching Waveform & Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPC6826U | |
| CPC7508BTR | |
| CPC7508B | |
| CPC7581BC | |
| CPC7581BBTR | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPC3703ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 |
| CPC3708ACTR | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:CPC |
| CPC3708CTR | 功能描述:MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 0V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 |
| CPC3708ZTR | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:N-CHANNEL DEPLETION MOSFET 350 V 14 OHMS SOT-223 |
| CPC3710 | 制造商:CLARE 制造商全称:Clare, Inc. 功能描述:N-Channel Depletion-Mode FET |
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