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参数资料
| 型号： | CPC3703CTR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 |
| 产品目录绘图： | SOT-89-3 Top SOT-89-3 SCHEM |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 360mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 200mA，0V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 供应商设备封装： | SOT-89-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2629 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | CPC3703CDKR |
CPC3703
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
N-Channel Depletion-Mode
Vertical DMOS FET
V (BR)DSX /
V (BR)DGX
250V
R DS(on)
(max)
4 ?
I DSS (min)
360mA
Package
SOT-89
Description
The CPC3703 is an N-channel, depletion mode, field
effect transistor (FET) that utilizes IXYS Integrated
Circuits Division’s proprietary third-generation vertical
DMOS process. The third-generation process realizes
Low V GS(off) Voltage: -1.6 to -3.9V
Depletion Mode Device Offers Low R DS(on)
Features
? High Breakdown Voltage: 250V
? Low On-Resistance: 4 ? max. at 25oC
?
?
at Cold Temperatures
? High Input Impedance
? Small Package Size: SOT-89
Applications
? Ignition Modules
? Normally-On Switches
world class, high voltage MOSFET performance
in an economical silicon gate process. Our vertical
DMOS process yields a robust device, with high
input impedance, for use in high-power applications.
The CPC3703 is a highly reliable device that has
been used extensively in our Solid State Relays for
industrial and telecommunications applications.
This device excels in power applications that require
low drain-source resistance, particularly in cold
environments such as automotive ignition modules.
The CPC3703 offers a low, 4 ? maximum, on-state
resistance at 25oC.
?
?
?
?
Solid State Relays
Converters
Telecommunications
Power Supply
The CPC3703 has a minimum breakdown voltage of
250V, and is available in an SOT-89 package. As with
all MOS devices, the FET structure prevents thermal
runaway and thermal-induced secondary breakdown.
Ordering Information
Part #
Description
CPC3703C
N-Channel Depletion Mode FET, SOT-89 Pkg.
Cut-Tape, Available in Quantities of 200, 400,
600, and 800 Only (see Note 1)
CPC3703CTR N-Channel Depletion Mode FET, SOT-89 Pkg.
Tape and Reel (1000/Reel)
Note 1: Orders for 1000 or greater must be for the "CTR" part option
and in increments of 1000.
Package Pinout
G
D
S
(SOT-89)
D
Circuit Symbol
G
D
S
Pb
e 3
DS-CPC3703-R06
www.ixysic.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPC3703ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 |
| CPC3708ACTR | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:CPC |
| CPC3708CTR | 功能描述:MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 0V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 |
| CPC3708ZTR | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:N-CHANNEL DEPLETION MOSFET 350 V 14 OHMS SOT-223 |
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