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参数资料
| 型号： | CPC3703CTR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 |
| 产品目录绘图： | SOT-89-3 Top SOT-89-3 SCHEM |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 360mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 200mA，0V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 供应商设备封装： | SOT-89-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2629 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | CPC3703CDKR |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
PERFORMANCE DATA (@25oC Unless Otherwise Noted)*
CPC3703
Instantaneous Transfer Characteristics
R DS(on) Vs. Temperature
1000
900
800
700
600
Output Characteristics
V GS =-1.0
V GS =-1.5
350
300
250
200
(V DS =5V, T A =T J )
8
7
6
5
(V GS =0V, I D =200mA)
500
400
300
200
100
V GS =-2.0
V GS =-2.5
150
100
50
+125oC
+25oC
-55oC
4
3
2
0
0
1
2
3
4
5
6
0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
1
-50
0
50
100
150
-2.0
V DS (V)
V GS(off) Vs. Temperature
(V DS =10V, I D =1mA)
1
V GS (V)
Maximum Rated Safe Operating Area
300
250
Temperature (oC)
Transconductance vs. Drain Current
(V DS =10V, T A =T J )
-55oC
+25oC
-2.5
0.1
200
+125oC
-3.0
0.01
150
100
-3.5
50
-4.0
-50
0
50
100
150
0.001
0.1
1
10
100
1000
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
Temperature (oC)
Power Dissipation
V DS (V)
Capacitance vs. Drain-Source Voltage
I D (mA)
On-Resistance vs. Drain Current
1.2
1.0
0.8
vs. Ambient Temperature
600
525
450
375
(V GS =-5V)
C ISS
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
(V GS =0V)
0.6
300
2.5
0.4
0.2
0.0
225
150
75
0
C OSS
C RSS
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60 80 100
120
140
0
10
20
30
40
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
Temperature (oC)
V DS (V)
I D (A)
*The Performance data shown in the graphs above is typical of device performance. For guaranteed parameters not indicated in the written speci?cations, please
contact our application department.
R06
www.ixysic.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPC3703ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 |
| CPC3708ACTR | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:CPC |
| CPC3708CTR | 功能描述:MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 0V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 |
| CPC3708ZTR | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:N-CHANNEL DEPLETION MOSFET 350 V 14 OHMS SOT-223 |
| CPC3710 | 制造商:CLARE 制造商全称:Clare, Inc. 功能描述:N-Channel Depletion-Mode FET |
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