- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录401 > CPH3455-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | CPH3455-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 104 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 186pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-96 |
| 供应商设备封装： | 3-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH3455
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain to Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=35V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
35
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=1.5A
ID=1.5A, VGS=10V
1.2
1.7
80
2.6
104
V
S
m Ω
Static Drain to Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=0.75A, VGS=4.5V
ID=0.75A, VGS=4V
VDS=20V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=20V, VGS=10V, ID=3A
IS=3A, VGS=0V
123
148
186
36
22
4.2
4.7
15
5.7
4
0.9
0.7
0.86
173
208
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
VDD=15V
10V
0V
VIN
ID=1.5A
RL=10 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
VIN
D
VOUT
G
P.G
50 Ω
S
CPH3455
Ordering Information
Device
CPH3455-TL-H
Package
CPH3
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb-Free and Halogen Free
No.8737-2/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH3456-TL-H | MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 |
| CPH3457-TL-H | MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 |
| CPH5617-TL-E | MOSFET N-CH ARRAY 30V 150MA CPH5 |
| CPH5871-TL-H | MOSFET N-CH DIODE SCHOTTKY CPH5 |
| CPH6337-TL-E | MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH3455-TL-W | 功能描述:MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:35V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:104 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:186pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 |
| CPH3456 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device |
| CPH3456_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH3456-TL-H | 功能描述:MOSFET DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| CPH3456-TL-W | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:71 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:260pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。