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参数资料
| 型号： | CPH6337-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Ordering number : ENA0923A
CPH6337
P-Channel Power MOSFET
–12V, –3.5A, 70m Ω , Single CPH6
Features
http://onsemi.com
?
?
Ultrahigh-speed switching
1.8V drive
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
--12
±10
--3.5
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
When mounted on ceramic substrate (1200mm 2 × 0.8mm)
--14
1.6
150
--55 to +150
A
W
°C
°C
This product is designed to “ESD immunity < 200V * ”, so please take care when handling.
* Machine Model
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7018A-003
Product & Package Information
? Package : CPH6
? JEITA, JEDEC : SC-74, SOT-26, SOT-457
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
6
2.9
5
4
0.15
CPH6337-TL-E
Packing Type: TL
Marking
0.05
1
2
0.95
3
0.4
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
TL
Electrical Connection
5 : Drain
6 : Drain
1, 2, 5, 6
CPH6
3
4
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
61312 TKIM/91907PE TIIM TC-00000903 No. A0923-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH6341-TL-E | MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 |
| CPH6347-TL-H | MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 |
| CPH6350-TL-E | MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 |
| CPH6354-TL-H | MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 |
| CPH6355-TL-H | MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH6337-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 |
| CPH6339 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH6339-TL-E | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 45V 3A SOT346 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
| CPH6340 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH6340-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Pch 45V 4A 0.075 bogPQ Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 45V 4A SOT346 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
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