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参数资料
| 型号： | CPH6337-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH6337
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID= -- 1mA, VGS=0V
VDS= -- 12V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
--12
--10
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS= -- 6V, ID= -- 1mA
VDS= -- 6V, ID= -- 1.5A
ID= -- 1.5A, VGS= -- 4.5V
--0.4
2.7
4.5
54
--1.4
70
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= -- 0.8A, VGS= -- 2.5V
ID= -- 0.3A, VGS= -- 1.8V
VDS=--6V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--3.5A
IS=--3.5A, VGS=0V
80
125
405
145
100
8.8
80
41
50
5.6
0.7
1.6
--0.86
115
215
--1.5
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
0V
--4.5V
VIN
VDD= --6V
VIN
D
ID= --1.5A
RL=4 Ω
VOUT
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
CPH6337
P.G
50 Ω
S
Ordering Information
Device
CPH6337-TL-E
Package
CPH6
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free
No. A0923-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH6337-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 |
| CPH6339 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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| CPH6340 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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