参数资料
型号: CPH6337-TL-E
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 405pF @ 6V
功率 - 最大: 1.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: 6-CPH
包装: 带卷 (TR)
CPH6337
mm
Outline Drawing
CPH6337-TL-E
Mass (g) Unit
0.015
* For reference
Land Pattern Example
0.6
Unit: mm
0.95
0.95
No. A0923-6/7
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PDF描述
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CPH6337-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):405pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1
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