- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录402 > CPH6354-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | CPH6354-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Ordering number : ENA1946A
CPH6354
P-Channel Power MOSFET
–60V, –4A, 100m Ω , Single CPH6
Features
http://onsemi.com
?
?
?
?
ON-resistance RDS(on)1=77m Ω (typ.)
4V drive
Halogen free compliance
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
--60
±20
--4
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
When mounted on ceramic substrate (1500mm 2 × 0.8mm)
--16
1.6
150
--55 to +150
A
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7018A-003
Product & Package Information
? Package : CPH6
? JEITA, JEDEC : SC-74, SOT-26, SOT-457
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
2.9
0.15
CPH6354-TL-H
6
5
4
Packing Type: TL
Marking
0.05
1
2
0.95
3
0.4
1 : Drain
2 : Drain
TL
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
Electrical Connection
1, 2, 5, 6
6 : Drain
CPH6
3
4
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
60612 TKIM/N0211PE TKIM TC-00002651 No. A1946-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH6355-TL-H | MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 |
| CPH6442-TL-E | MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 |
| CPH6443-TL-H | MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 |
| CPH6444-TL-E | MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 |
| CPH6445-TL-E | MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH6354-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 |
| CPH6355 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH6355_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH6355-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| CPH6355-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:169 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:172pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。