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参数资料
| 型号： | CPH6354-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH6354
--4.0
--3.5
ID -- VDS
--3
.0V
--8
--7
ID -- VGS
VDS= --10V
--3.0
--2.5
--2.0
--6
--5
--4
--1.5
--1.0
--0.5
VGS= --2.5V
--3
--2
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
220
200
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT16614
Ta=25°C
300
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT16615
180
160
ID= --1A
--2A
250
= --
4.5V
= --1
= --4 A
0V, I D
140
120
100
80
60
40
200
150
100
50
.0 V, I D
= --10.
VGS
A
= --
VGS
VGS = --2
, ID
1A
20
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
7
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS= --10V
IT16616
--10
7
5
VGS=0V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16617
5
3
3
2
° C
2
1.0
Ta
=
--2
5 °
C
75
--1.0
7
5
3
7
5
3
2
2
--0.1
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
--0.01
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
100
7
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT16618
1000
7
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT16619
f=1MHz
5
5
3
2
10
tf
tr
3
2
100
7
5
3
2
td(on)
VDD= --30V
7
5
3
2
Coss
Crss
1.0
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
VGS= --10V
5 7 --10
10
0
--10
--20
--30
--40
--50
--60
Drain Current, ID -- A
IT16620
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16621
No. A1946-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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