参数资料
型号: CPH6354-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 4A CPH6
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 2A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 600pF @ 20V
功率 - 最大: 1.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商设备封装: 6-CPH
包装: 带卷 (TR)
CPH6354
mm
Outline Drawing
CPH6354-TL-H
Mass (g) Unit
0.015
* For reference
Land Pattern Example
0.6
Unit: mm
0.95
0.95
No. A1946-6/7
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PDF描述
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参数描述
CPH6354-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):600pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000
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CPH6355-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):169 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):172pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000