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参数资料
| 型号： | CPH6354-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH6354
IDP= --16A (PW ≤ 10 μ s)
0 μ
ID= --4A
ms
2 DC
op
0m
ati
on
(T
25
° C
Operation in this area
)
is limited by RDS(on).
When mounted on ceramic substrate (1500mm 2 × 0.8mm)
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
VDS= --30V
ID= --4A
2
4
VGS -- Qg
6 8 10
12
14
16
--100
7
5
3
2
7 s
5
7
5
2
--0.1
7
5
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
--0.01
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3
ASO
--1.0 er s
10
3 10 1m
3 a=
--10 10
s
5 7 --100
1.8
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT16622
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16623
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
When mounted on ceramic substrate
(1500mm 2 × 0.8mm)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16624
No. A1946-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH6355-TL-H | MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 |
| CPH6442-TL-E | MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH6354-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 |
| CPH6355 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH6355_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH6355-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| CPH6355-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:169 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:172pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 |
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