- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录401 > CPH3455-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | CPH3455-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 104 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 186pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-96 |
| 供应商设备封装： | 3-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH3455
IDP=12A (PW ≤ 10 μ s)
10
1m μ s
ID=3A
10
s
DC ms
op
0m
10
era
t o i
n(
Ta
5 °
0.01
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
VDS=20V
ID=3A
0.5 1.0
1.5
VGS -- Qg
2.0 2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
100
7
5
3
2
10
7
3
2
1.0
5
3
7
5
ASO
5 0
7 s
2 Operation in this area =2
0.1 is limited by RDS(on). C)
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
0.01 When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3
5 7 100
1.4
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT16450
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT16451
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16452
No.8737-4/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH3456-TL-H | MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 |
| CPH3457-TL-H | MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 |
| CPH5617-TL-E | MOSFET N-CH ARRAY 30V 150MA CPH5 |
| CPH5871-TL-H | MOSFET N-CH DIODE SCHOTTKY CPH5 |
| CPH6337-TL-E | MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH3455-TL-W | 功能描述:MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:35V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:104 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:186pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 |
| CPH3456 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device |
| CPH3456_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH3456-TL-H | 功能描述:MOSFET DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| CPH3456-TL-W | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:71 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:260pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。