参数资料
型号: CPH3456-TL-H
厂商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 71 毫欧 @ 1.5A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 260pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-96
供应商设备封装: 3-CPH
包装: 带卷 (TR)
CPH3456
4.0
ID -- VDS
5
ID -- VGS
VDS=10V
3.5
4
3.0
2.5
2.0
3
1.5
1.5V
2
1.0
1
0.5
VGS=1.2V
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
=0.5
=1.8
, I D=
I =1
4.5V, D
200
180
160
140
120
100
80
60
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
I D=0.5A
1.0A
1.5A
IT15111
Ta=25°C
160
140
120
100
80
60
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
A
V, I D
VGS
1.0A
= 2.5V
VGS .5A
VG S=
IT15112
40
40
20
20
0
0
2
4
6
8
10
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
7
5
| y fs | -- ID
IT15786
VDS=10V
7
5
VGS=0V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT15787
3
3
2
2
1.0
a=
5 ° C
1.0
T
--2
75
° C
7
5
3
7
2
5
3
2
25
° C
0.1
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
7
5
VDD=10V
VGS=4.5V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15115
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15116
f=1MHz
3
2
10
7
5
td(off)
tf
tr
td(on)
3
2
100
7
5
3
2
Ciss
C o ss
Crss
3
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT15117
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15118
No. A1803-3/7
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PDF描述
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参数描述
CPH3456-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):71 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):260pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000
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CPH3457-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):95 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):265pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000