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参数资料
| 型号： | CPH3457-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nc @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 265pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-96 |
| 供应商设备封装： | 3-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH3457
Embossed Taping Speci ? cation
CPH3457-TL-H
No. A1804-5/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| CPH6337-TL-E | MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 |
| CPH6341-TL-E | MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 |
| CPH6347-TL-H | MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH3457-TL-W | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:95 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:265pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 |
| CPH3459-TL-W | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 欧姆 @ 250mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:90pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 |
| CPH3461-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 欧姆 @ 170mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:140pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 |
| CPH3461-TL-W | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 欧姆 @ 170mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:140pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 |
| CPH3462-TL-W | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:785 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:155pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 |
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