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参数资料
| 型号： | CPH6347-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH6347
--7
ID -- VDS
--7
ID -- VGS
VDS= --10V
--6
--5
--4
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--1.5V
VGS= --1.2V
--3
--2
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
200
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT14640
100
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT14641
180
Ta=25 ° C
90
= --0
--1.8
VGS
= --1
--2.5
VGS
--3.0A
--4.5V
160
140
120
100
80
60
40
20
ID= --0.6 A
--1.5 A
--3.0A
80
70
60
50
40
30
20
10
=
=
V GS=
V, I D
V, I D
, I D=
.6A
.5A
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
3
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
IT14642
--10
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14643
2
10
7
5
VDS= --10V
7
5
3
2
--1.0
VGS=0V
=-
3
2
1.0
Ta
-2
5 ° C
7 5 ° C
25
° C
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
0.1
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
--0.01
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14644
VDD= --10V
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14645
f=1MHz
2
td( of f)
VGS= --4.5V
2
100
7
5
3
2
10
tf
tr
td(on)
1000
7
5
3
2
100
Ciss
Coss
Crss
7
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
--10
7
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain Current, ID -- A
IT14646
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14647
No. A1334-3/7
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PDF描述 |
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