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参数资料
| 型号： | CPH6347-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH6347
ms
0m
n(
=2
100
C)
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
VDS= --10V
ID= --6A
VGS -- Qg
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
ASO
IDP= --24A
ID= --6A
DC
Operation in this area
is limited by RDS(on).
op
e r a
10
tio
10
s
Ta
PW≤10μs
1m μ s
s
5 °
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
--0.01
--0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
--0.01
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10
2
3
2.0
1.8
Total Gate Charge, Qg -- nC IT14648
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14649
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14650
No. A1334-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH6350-TL-E | MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 |
| CPH6354-TL-H | MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 |
| CPH6355-TL-H | MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 |
| CPH6442-TL-E | MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 |
| CPH6443-TL-H | MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH6347-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:39 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:860pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 |
| CPH6350 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH6350_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH6350-P-TL-E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性: 汲极/源极击穿电压: 闸/源击穿电压: 漏极连续电流: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 配置: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装: |
| CPH6350-TL-E | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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