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参数资料
| 型号： | CY7C1371BV25-83BGC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 36 ZBT SRAM, 10 ns, PBGA119 |
| 封装： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件页数： | 5/25页 |
| 文件大小： | 709K |
| 代理商： | CY7C1371BV25-83BGC |
CY7C1373BV25
CY7C1371BV25
Document #: 38-05250 Rev. *A
Page 13 of 25
Set-up Times
tTMSS
TMS Set-up to TCK Clock Rise
10
ns
tTDIS
TDI Set-up to TCK Clock Rise
10
ns
tCS
Capture Set-up to TCK Rise
10
ns
Hold Times
tTMSH
TMS Hold after TCK Clock Rise
10
ns
tTDIH
TDI Hold after Clock Rise
10
ns
tCH
Capture Hold after Clock Rise
10
ns
Output Times
tTDOV
TCK Clock LOW to TDO Valid
20
ns
tTDOX
TCK Clock HIGH to TDO Invalid
0
ns
Notes:
10. tCS and tCH refer to the set-up and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
11.
Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. tR/tF = 1 ns.
TAP AC Switching Characteristics Over the Operating Range[10, 11]
Parameter
Description
Min.
Max
Unit
TAP Timing and Test Conditions
(a)
TDO
CL = 20 pF
Z0 = 50
GND
1.25V
Test Clock
Test Mode Select
TCK
TMS
Test Data-In
TDI
Test Data-Out
TDO
tTCYC
tTMSH
tTL
tTH
tTMSS
tTDIS
tTDIH
tTDOV
tTDOX
50
2.5V
0V
ALL INPUT PULSES
1.25V
(b)
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