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参数资料
| 型号： | DMC2020USD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL COMPL PAIR 8SO |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A，5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1149pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2020USD-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC2020USD
Package Outline Dimensions
DIM
Inches
Millimeters
DIM
Inches
Millimeters
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
A
0.053
0.069
1.35
1.75
e
0.050 BSC
1.27 BSC
A1
D
H
E
L
0.004
0.189
0.228
0.150
0.016
0.010
0.197
0.244
0.157
0.050
0.10
4.80
5.80
3.80
0.40
0.25
5.00
6.20
4.00
1.27
b
c
θ
h
-
0.013
0.008
0°
0.010
-
0.020
0.010
8°
0.020
-
0.33
0.19
0°
0.25
-
0.51
0.25
8°
0.50
-
Suggested Pad Layout
1.52
0.060
7.0
0.275
0.6
0.024
4.0
0.155
1.27
0.050
mm
inches
DMC2020USD
Document number: DS32121 Rev. 4 - 2
10 of 11
www.diodes.com
February 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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