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参数资料
| 型号： | DMC2020USD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL COMPL PAIR 8SO |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A，5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1149pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2020USD-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC2020USD
10,000
1,000
C iss
f = 1MHz
100,000
10,000
T A = 150°C
1,000
T A = 125°C
100
C rss
C oss
100
10
T A = 85°C
10
0
4
8 12 16
20
1
0
T A = 25°C
5 10 15 20
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 20 Typical Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 21 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
8
6
4
2
V DS = -10V
I D = -4A
0
0
5
10 15 20 25 30 35
Q g , T OTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 22 Gate-Source Voltage vs. Total Gate Charge
DMC2020USD
Document number: DS32121 Rev. 4 - 2
9 of 11
www.diodes.com
February 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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