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参数资料
| 型号： | DMC2020USD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL COMPL PAIR 8SO |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A，5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1149pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2020USD-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC2020USD
0.06
0.06
0.05
0.04
0.05
0.04
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
0.03
0.02
0.01
-V GS = 2.5 V
-V GS = 4.5V
0.03
0.02
0.01
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
5 10 15 20 25
30
0
0
5 10 15 20
1.6
1.4
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 14 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.06
0.05
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 15 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.2
-V GS = 4.5V
0.04
0.03
-V GS = 2.5V
-I D = 5A
1.0
0.8
0.6
-50
-I D = 10A
-V GS = 2.5V
-I D = 5A
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.02
0.01
0
-50
-V GS = 4.5V
-I D = 10A
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.2
1.0
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 16 On-Resistance Variation with Temperature
30
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 17 On-Resistance Variation with Temperature
0.8
20
T A = 25°C
0.6
0.4
0.2
-I D = 250μA
-I D = 1mA
15
10
5
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 18 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 19 Diode Forward Voltage vs. Current
DMC2020USD
Document number: DS32121 Rev. 4 - 2
8 of 11
www.diodes.com
February 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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