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参数资料
| 型号： | DMC2400UV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N P CH 20V SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.03A，700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 200mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 37.1pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 450mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2400UV-7DIDKR |
DMC2400UV
60
50
f = 1MHz
1,000
100
T A = 150°C
40
30
C iss
10
T A = 125°C
T A = 85°C
20
1
T A = 25°C
10
0
C oss
C rss
0.1
T A = -55°C
0
5 10 15
20
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20
5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
P W = 100μs
P W = 10 μs
4
V DS = 10V
1
R DS(on)
Limited
3
2
I D = 250mA
0.1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
0.01
1
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.6
0.001
0.01
0.1 1 10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
DMC2400UV
Document number: DS35537 Rev. 6 - 2
5 of 10
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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