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参数资料
| 型号： | DMC2400UV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N P CH 20V SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.03A，700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 200mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 37.1pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 450mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2400UV-7DIDKR |
DMC2400UV
80
f = 1MHz
1,000
T A = 1 50 ° C
60
100
T A = 1 25 ° C
40
C iss
10
T A = 8 5 ° C
T A = 2 5 ° C
20
C oss
1
0
0
C rss
5 10 15
20
0.1
0
4 8 12 16 20
8
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 21 Typical Junction Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 22 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
10
7
P W = 100μs
P W = 10μ s
6
5
V DS = -10V
I D = -250mA
1
R DS(on)
Limited
DC
P W = 10s
4
3
2
1
0.1
0.01
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
0.001
0.01
0.1 1 10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 23 Gate-Charge Characteristics
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 24 SOA, Safe Operation Area
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
D = 0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 275°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.001
D = Single Pulse
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.000001 0.00001
0.0001
0.001 0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 25 Transient Thermal Response
DMC2400UV
Document number: DS35537 Rev. 6 - 2
8 of 10
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
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