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参数资料
| 型号： | DMC2400UV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N P CH 20V SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.03A，700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 200mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 37.1pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 450mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2400UV-7DIDKR |
DMC2400UV
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = - 1.8V
V GS = - 2.5V
V GS = -4.5V
T A = 150°C
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
1.6
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT
Fig. 15 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.0
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 16 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
1.4
1.5
1.2
1.0
1.0
0.5
0.8
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
150
1.0
Fig. 17 On-Resistance Variation with Temperature
1.0
Fig. 18 On-Resistance vs.Temperature
0.8
I D = 300 μ A
0.8
0.6
0.4
0.2
I D = 250 μ A
0.6
0.4
0.2
T A = 25 ° C
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 19 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
7 of 10
DMC2400UV
www.diodes.com
Document number: DS35537 Rev. 6 - 2
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 20 Diode Forward Voltage vs. Current
February 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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