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参数资料
| 型号： | DMC3021LK4-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A，5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 751pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC3021LK4-13DIDKR |
DMC3021LK4
0.05
0.04
0.03
0.05
0.04
0.03
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
0.02
V GS = 4.5V
0.02
T A = 25°C
T A = -55°C
V GS = 10V
0.01
0.01
0
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
30
0
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20
I D , DRAIN CURRENT (A)
1.7
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.05
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
1.5
V GS = 10V
I D = 10A
0.04
1.3
1.1
0.9
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.03
0.02
V GS = 4.5V
I D = 5A
V GS = 10V
I D = 10A
0.7
0.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
2.5
0.01
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
20
18
16
2
14
I D = 1mA
12
1.5
10
8
T A = 25°C
1
I D = 250μA
6
4
2
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
0.2 0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMC3021LK4
Document number: DS35082 Rev. 4 - 2
4 of 10
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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