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参数资料
| 型号： | DMC3021LK4-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A，5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 751pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC3021LK4-13DIDKR |
DMC3021LK4
0.10
0.08
0.12
0.10
0.08
V GS = 4.5V
0.06
0.06
T A = 125°C
T A = 150°C
0.04
-V GS = 4.5V
0.04
T A = 85°C
T A = 25°C
0.02
-V GS = 10V
0.02
T A = -55°C
0
0
5 10 15
20
0
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18
20
1.7
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 15 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.08
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 16 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
1.5
0.06
1.3
1.1
-V GS = 10V
-I D = 10A
0.04
-V GS = 4.5V
-I D = 5A
0.9
0.7
0.02
-V GS = 10V
-I D = 10A
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
2.5
2
1.5
Fig. 17 On-Resistance Variation with Temperature
-I D = 250μA
20
18
16
14
12
Fig. 18 On-Resistance Variation with Temperature
1
0.5
-I D = 1mA
10
8
6
4
2
T A = 25°C
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 19 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 20 Diode Forward Voltage vs. Current
DMC3021LK4
Document number: DS35082 Rev. 4 - 2
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www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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