- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录404 > DMC3021LK4-13 (Diodes Inc)MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMC3021LK4-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A，5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 751pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC3021LK4-13DIDKR |
DMC3021LK4
Package Outline Dimensions
TO252-4
Dim Min Max Typ
E
b3
L3
A
c2
A
A1
A2
b
2.19 2.39 2.29
0.00 0.13 0.08
0.97 1.17 1.07
0.51 0.71 0.583
b2
0.61 0.79 0.70
A2
E1
b3
c2
5.21 5.46 5.33
0.45 0.58 0.531
D
H
D
D1
6.00 6.20 6.10
5.21 ? ?
e
?
?
1.27
E
6.45 6.70 6.58
L4
A1
E1
4.32
?
?
H
9.40 10.41 9.91
L
L
L3
1.40 1.78 1.59
0.88 1.27 1.08
4X b2
e
5X b
a
L4
a
0.64 1.02 0.83
0° 10° ?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X1
Dimensions
c
Value (in mm)
1.27
Y1
Y2
c1
X
X1
2.54
1.00
5.73
DMC3021LK4
Document number: DS35082 Rev. 4 - 2
c1
X (4x)
c
Y3
Y
Y
Y1
Y2
Y3
9 of 10
www.diodes.com
2.00
6.17
1.64
2.66
May 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMC3021LSD-13 | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A SO8 |
| DMC3028LSD-13 | MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 |
| DMC3035LSD-13 | MOSFET COMPL PAIR 2000MW 8-SOIC |
| DMC4028SSD-13 | MOSFET DUAL COMPL PAIR 8SOIC |
| DMC4040SSD-13 | MOSFET N/P-CH 40V 5.7A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMC3021LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC3021LSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET COMP PAIR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMC3021LSDQ-13 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A，7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:767pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| DMC3025LSD-13 | 功能描述:MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMC3028LSD | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NP CH W DIODE 30V SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NP CH, W DIODE, 30V, SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NP CH, W DIODE, 30V, SO8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.3W ;RoHS Compliant: Yes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。