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参数资料
| 型号： | DMC3021LK4-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A，5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 751pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC3021LK4-13DIDKR |
DMC3021LK4
Electrical Characteristics P-CHANNEL – Q2 @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 9)
Drain-Source Breakdown Voltage
BV DSS
-30
-
-
V
V GS = 0V, I D = -250 μ A
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
@T c = 25°C
I DSS
I GSS
-
-
-
-
-1
±100
μ A
nA
V DS = -30V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 9)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage
V GS(th)
R DS (ON)
|Y fs |
V SD
-1
-
-
-
-
-1.7
30
42
10
-0.75
-2.2
39
53
-
-1.0
V
m Ω
S
V
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS = -10V, I D = -4.3A
V GS = -4.5V, I D = -3.7A
V DS = -5V, I D = -4.3A
V GS = 0V, I S = -1A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 10)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge (4.5V)
Total Gate Charge (10V)
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
C iss
C oss
C rss
R g
Q g
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1039
144
134
13
10.1
21.1
2.8
3.2
10.1
6.5
50.1
22.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V DS = -10V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V,f = 1.0MHz
V GS = -10V, V DS = -15V,
I D = -6A
V DS = -15V, V GS = -10V,
R G = 6 ? , I D = -1A
Notes:
9. Short duration pulse test used to minimize self-heating effec
10. Guaranteed by design. Not subject to product testing.
30
20
25
-V GS = 10V
-V GS = 4.5V
-V GS = 4.0V
15
V DS = -5.0V
20
-V GS = 3.5V
15
10
-V GS = 3.0V
10
5
T A = 125°C
T A = 85°C
5
-V GS = 2.5V
-V GS = 2.0V
T A = 150°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
0.5 1 1.5
2
0
0
1
2 3 4
5
- GS ,
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
V
GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.13 Typical Output Characteristics
Fig. 14 Typical Transfer Characteristics
DMC3021LK4
Document number: DS35082 Rev. 4 - 2
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www.diodes.com
May 2012
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