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参数资料
| 型号： | DMC3021LK4-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A，5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 751pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC3021LK4-13DIDKR |
DMC3021LK4
10,000
1,000
T A = 150°C
10,000
f = 1MHz
100
T A = 125°C
1,000
C iss
T A = 85°C
10
1
T A = 25°C
100
C oss
C rss
0.1
0
5 10 15 20 25 30
10
0
5 10 15 20 25
30
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 21 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 22 Typical Junction Capacitance
10
100
R DS(ON)
Limited
8
6
V DS = 15V
I D = 6A
10
DC
P W = 10s
P W = 1s
4
1
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
P W = 10μs
2
0.1
T J(MAX) = 150 ° C
T A = 25 ° C
Single Pulse
0
0
5
10 15 20
25
0.01
0.1
1
10
100
Q G - (nC)
Fig. 23 Gate Charge Characteristics
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 24 SOA, Safe Operation Area
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.9
D = 0.005
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.001
Single Pulse
R θ JA = 46°C/W
Duty Cycle, D = t1 / t2
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
T1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 25 Transient Thermal Resistance
DMC3021LK4
Document number: DS35082 Rev. 4 - 2
8 of 10
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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参数描述 |
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