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参数资料
| 型号： | DMC3035LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET COMPL PAIR 2000MW 8-SOIC |
| 产品变化通告： | End Of Life 16/Aug/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 384pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMC3035LSD
N-CHANNEL
30
30
28
26
24
22
V GS = 10V
24
V DS = 5V
Pulsed
T A = -55°C
T A = 25°C
T A = 85°C
20
18
16
V GS = 4.5V
18
T A = 125°C
T A = 150°C
14
12
10
8
6
4
V GS = 3.5V
V GS = 3.0V
12
6
2
0
0
1
V GS = 2.5V
2 3 4
5
0
1
2 3 4 5
6
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.1
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
V GS = 4.5 V
0.08
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
0.06
0.1
V GS = 4.5 V
0.04
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
V GS = 10V
0.02
0
0
5 10 15 20 25 30
0
2 4 6 8 1 0
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig 3 On-Resistance vs. Drain Current & Gate Voltage
1.6
V GS = 10V
2.5
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 On-Resistance vs. Drain Current & Temperature
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
I D = 10A
V GS = 4.5V
I D = 5A
-25 0 25 50 75 100 125 150
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
I D = 1mA
I D = 250μA
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMC3035LSD
Document number: DS31312 Rev. 3 - 2
3 of 7
www.diodes.com
October 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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