参数资料
型号: DMC4040SSD-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 40V 5.7A SO8
标准包装: 1
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 37.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1790pF @ 20V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
其它名称: DMC4040SSD-13DKR
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC4040SSD
Thermal Characteristics
R DS(ON)
R DS(ON)
10 Limited
10
Limited
1
DC
1s
1
DC
1s
100m
10m
100ms
Single Pulse
T amb = 25°C
One active die
10ms
1ms
100us
100m
10m
100ms
Single Pulse
T amb = 25°C
One active die
10ms
1ms
100us
0.1
1
10
0.1
1
10
V DS Drain-Source Voltage (V)
N-channel Safe Operating Area
-V DS Drain-Source Voltage (V)
P-channel Safe Operating Area
2.0
100
R(theta junction-to-ambient), R θ JA
One active die
80
1.5
Two active die
60
D=0.5
1.0
One active die
40
20
0
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
D=0.1
0.5
0.0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
0
25
50
75
100
125
150
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Single Pulse
Temperature (°C)
Derating Curve
100
T amb = 25°C
One active die
10
1
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
Pulse Width (s)
Pulse Power Dissipation
DMC4040SSD
Document number: DS32120 Rev. 2 - 2
3 of 11
www.diodes.com
March 2011
? Diodes Incorporated
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