参数资料
型号: DMC4040SSD-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 9/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 40V 5.7A SO8
标准包装: 1
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 37.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1790pF @ 20V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
其它名称: DMC4040SSD-13DKR
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC4040SSD
10,000
10,000
C iss
1,000
T A = 150°C
1,000
T A = 125°C
C oss
100
100
C rss
10
T A = 85°C
T A = 25°C
10
0
5 10 15 20 25
30
1
0
5 10 15 20 25 30 35
40
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 20 Typical Total Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 21 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
8
6
4
2
V DS = -20V
I D = -12A
0
0
5
10 15 20 25 30 35
40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 22 Gate-Charge Characteristics
DMC4040SSD
Document number: DS32120 Rev. 2 - 2
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www.diodes.com
March 2011
? Diodes Incorporated
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