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参数资料
| 型号： | DMC4040SSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 5.7A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1790pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC4040SSD-13DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC4040SSD
Electrical Characteristics – Q1 N-CHANNEL @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
40
?
?
?
?
?
?
1.0
± 100
V
μ A
nA
I D = 250 μ A, V GS = 0V
V DS = 40V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance (Note 8)
Forward Transconductance (Notes 8 & 9)
Diode Forward Voltage (Note 8)
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
0.8
?
?
?
1.3
0.013
0.028
12.6
0.7
1.8
0.025
0.040
?
1.0
V
?
S
V
I D = 250 μ A, V DS = V GS
V GS = 10V, I D = 3A
V GS = 4.5V, I D = 3A
V DS = 5V, I D = 3A
I S = 1A, V GS = 0V
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 9)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge (Note 10)
C iss
C oss
C rss
R g
Q g
?
?
?
?
?
1790
160
120
1.03
16.0
?
?
?
?
?
pF
?
V DS = 20V, V GS = 0V
f= 1MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f= 1MHz
V GS = 4.5V
Total Gate Charge (Note 10)
Gate-Source Charge (Note 10)
Q g
Q gs
?
?
37.6
7.8
?
?
nC
V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 3A
Gate-Drain Charge (Note 10)
Turn-On Delay Time (Note 10)
Q gd
t D(on)
?
?
6.6
8.1
?
?
Turn-On Rise Time (Note 10)
Turn-Off Delay Time (Note 10)
Turn-Off Fall Time (Note 10)
t r
t D(off)
t f
?
?
?
15.1
24.3
5.3
?
?
?
ns
V DD = 20V, V GS = 10V
I D = 3A
Notes:
8. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300 μ s; duty cycle ≤ 2%
9. For design aid only, not subject to production testing.
10. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
Typical Characteristics – Q1 N-Channel
30
30
25
20
15
V GS = 8.0V
V GS = 4.5V
25
20
15
V DS = 5V
V GS = 4.0V
10
10
5
V GS = 2.5V
V GS = 3.5V
V GS = 3.0V
5
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
0.5 1 1.5
2
0
0
1 2 3 4
5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
DMC4040SSD
Document number: DS32120 Rev. 2 - 2
4 of 11
www.diodes.com
March 2011
? Diodes Incorporated
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