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参数资料
| 型号： | DMG1016UDW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.07A，845mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.74nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60.67pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG1016UDW-7DIDKR |
DMG1016UDW
N-CHANNEL – Q1 (cont.)
1.6
1.0
1.2
0.8
I D = 1mA
0.8
0.6
T A = 25°C
0.4
I D = 250μA
0.4
0.2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1.2
100
C iss
1,000
T A = 150°C
100
T A = 125°C
10
C oss
C rss
10
T A = 85°C
T A = 25°C
1
0
5
10
15
20
1
0
4 8 12 16
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
D = 0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 260°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R θ JA (t)
D = 0.005
-T
t 2
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMG1016UDW
Document number: DS31860 Rev. 6 - 2
4 of 9
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG1016V-7 | MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 |
| DMG1023UV-7 | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG1016V | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG1016V-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1023UV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG1023UV-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1024UV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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