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参数资料
| 型号： | DMG1016UDW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.07A，845mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.74nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60.67pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG1016UDW-7DIDKR |
DMG1016UDW
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT363
Dim
A
Min
0.10
Max
0.30
B C
B
C
1.15
2.00
1.35
2.20
D
0.65 Typ
F
H
0.40
1.80
0.45
2.20
H
J
K
0
0.90
0.10
1.00
K
M
L
M
0.25
0.10
0.40
0.22
α
0° 8°
J
D
F
L
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.5
1.3
Z
G
C1
X
Y
0.42
0.6
C1
1.9
Y
X
C2
0.65
DMG1016UDW
Document number: DS31860 Rev. 6 - 2
8 of 9
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG1016V-7 | MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 |
| DMG1023UV-7 | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563 |
| DMG1024UV-7 | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT563 |
| DMG1026UV-7 | MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563 |
| DMG1029SV-7 | MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG1016V | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG1016V-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1023UV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG1023UV-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1024UV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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