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参数资料
| 型号： | DMG1016V-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 870mA，640mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.74nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60.67pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 530mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG1016V-7DIDKR |
DMG1016V
N-CHANNEL – Q 1
1.0
0.8
0.6
0.4
V GS = 8.0V
V GS = 4.5V
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
V GS = 2.0V
V GS = 1.5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = 1.2V
0.2
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
0
T A = -55°C
0.5 1 1.5
2
0.8
0.7
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
0.5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
0.6
0.4
T A = 150°C
T A = 125°C
0.5
0.4
V GS = 1.8V
0.3
T A = 85°C
T A = 25°C
0.3
V GS = 2.5V
0.2
T A = -55°C
V GS = 4.5V
0.2
0.1
0.1
0
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.0
1.7
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.5
0.6
1.3
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5V
I D = 500mA
V GS = 2.5V
I D = 250mA
0.4
0.2
V GS = 2.5V
I D = 250mA
V GS = 4.5V
I D = 500mA
0.5
-50
-25 0
25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG1016V
Document number: DS31767 Rev. 3 - 2
3 of 8
www.diodes.com
May 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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