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参数资料
| 型号： | DMG1016V-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 870mA，640mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.74nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60.67pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 530mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG1016V-7DIDKR |
DMG1016V
P-CHANNEL – Q 2
1.0
V GS = -8.0 V
1.0
0.8
V GS = -4.5V
V GS = -3.0V
0.8
V DS = -5V
0.6
0.4
V GS = -2.5V
V GS = -2.0V
0.6
0.4
0.2
V GS = -1.5V
0.2
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
5
0
0
T A = -55°C
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
1.6
1.4
1.2
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Output Characteristic
V GS = -1.8V
1.0
0.8
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 Typical Transfer Characteristic
V GS = -4.5 V
T A = 150°C
1.0
0.8
0.6
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0.6
0.4
V GS = -2.5V
V GS = -4.5V
0.4
T A = -55°C
0.2
0.2
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.0
1.7
1.5
1.3
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 14 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
1.0
0.8
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 15 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
V GS = -2.5V
I D = -250mA
0.6
1.1
0.9
0.7
0.5
V GS = -4.5V
I D = -500mA
V GS = -2.5V
I D = -250mA
0.4
0.2
0
V GS = -4.5V
I D = -500mA
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 16 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 17 On-Resistance Variation with Temperature
DMG1016V
Document number: DS31767 Rev. 3 - 2
5 of 8
www.diodes.com
May 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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