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参数资料
| 型号： | DMG2301U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 608pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG2301U-7DIDKR |
DMG2301U
1.6
1.2
10
8
0.8
6
T A = 25°C
I D = -1m A
4
I D = -250μA
0.4
2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,000
f = 1MHz
C iss
0
0.2
10,000
0.4 0.6 0.8 1.0
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
1.2
1,000
T A = 125°C
100
C oss
C rss
100
T A = 85°C
10
T A = 25°C
10
0
4 8 12 16
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
1
0
4 8 12 16
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
Fig. 9 Typical Total Capacitance
1
D = 0. 7
D = 0.5
D = 0.3
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
D = 0.02
R ? JA = 156°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
t 2
D = 0.005
D = Single Pulse
T J - T A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMG2301U
Document number: DS31848 Rev. 3 - 2
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www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
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