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参数资料
| 型号： | DMG2302U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 594.3pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG2302U-7DIDKR |
DMG2302U
10
V GS = 8.0V
V GS = 4.5V
10
8
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
8
V DS = 5V
V GS = 2.0V
V GS = 1.5V
6
4
6
4
T A = 150°C
2
2
T A = 125°C
0
0
V GS = 1.2V
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0
0
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.5 1 1.5
2
0.06
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.06
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0.055
0.055
V GS = 4.5V
0.05
0.05
0.045
0.045
0.04
T A = 150°C
T A = 125°C
0.04
0.035
0.03
0.025
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.035
0.03
0.025
0.02
0.015
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.02
0.1
1
10
0.01
0
2
4 6 8 10
1.8
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.06
0.05
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
0.04
V GS = 2.5V
I D = 5A
1.2
1.0
V GS = 2.5V
I D = 5A
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.03
0.02
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.8
0.01
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG2302U
Document number: DS31838 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
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