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参数资料
| 型号： | DMG2302U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 594.3pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG2302U-7DIDKR |
DMG2302U
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
H
A ll 7 °
K 1
K
J
G A U G E P L A N E
0 . 2 5
SOT23
Dim Min Max Typ
A 0.37 0.51 0.40
A
M
L
a
L 1
B
C
D
F
G
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
H
J
2.80 3.00 2.90
0.013 0.10 0.05
C
B
K
K1
L
L1
0.890 1.00 0.975
0.903 1.10 1.025
0.45 0.61 0.55
0.25 0.55 0.40
F
G
D
M 0.085 0.150 0.110
?? 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMG2302U
Document number: DS31838 Rev. 3 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
September 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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