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参数资料
| 型号： | DMG4413LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4965pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4413LSS-13DIDKR |
DMG4413LSS
30
V GS = -8.0V
30
25
20
V GS = -4.5V
V GS = -3.5V
25
20
V DS = -5V
15
10
V GS = -3.2V
15
10
T A = 150°C
T A = 125°C
5
0
0
V GS = -3.0V
1 2 3 4
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
5
5
0
0
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
1 2 3 4
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
5
0.05
0.04
0.03
0.05
0.04
0.03
V GS = -4.5V
0.02
0.02
T A = 125°C
T A = 150°C
T A = 85°C
0.01
V GS = -4.5V
V GS = -8.0V
0.01
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
5 10 15 20 25
30
0
0
5
10 15 20 25
30
1.7
1.5
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.030
0.025
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.3
V GS = -4.5V
I D = -5A
0.020
1.1
0.9
0.7
V GS = -10V
I D = -10A
0.015
0.010
0.005
V GS = -4.5V
I D = -5A
V GS = -10V
I D = -10A
0.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG4413LSS
Document number: DS31754 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG4435SSS-13 | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4435SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4435SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4466SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4466SSS-13 | 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4466SSSL | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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