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参数资料
| 型号： | DMG4413LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4965pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4413LSS-13DIDKR |
DMG4413LSS
3.0
2.7
20
18
2.4
2.1
I D = -1mA
16
14
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
I D = -250μA
12
10
8
6
4
2
T A = 25°C
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1.2
10,000
f = 1MHz
C iss
C oss
1,000
C rss
100
0
5 10 15 20 25
30
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim Min Max
A
- 1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
0.10 0.20
1.30 1.50
0.15 0.25
Detail ‘A’
b
D
0.3 0.5
4.85 4.95
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E
E1
e
h
L
5.90 6.10
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
e
D
b
?? 0 ? 8 ?
All Dimensions in mm
DMG4413LSS
Document number: DS31754 Rev. 5 - 2
4 of 5
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG4435SSS-13 | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC |
| DMG4466SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 |
| DMG4466SSSL-13 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 |
| DMG4468LFG | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4435SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4435SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4466SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4466SSS-13 | 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4466SSSL | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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