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参数资料
| 型号： | DMG4712SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SiMFET |
| FET 型： | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 11.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2296pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4712SSS-13DIDKR |
DMG4712SSS
0.05
0.04
V GS = 4.5V
0.04
0.03
0.03
T A = 150°C
0.02
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.02
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0.01
V GS = 10V
0.01
T A = -55°C
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10 15 20 25
30
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = 4.5V
0.03
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
I D = 10A
V GS = 10V
0.02
1.2
I D = 20A
V GS = 4.5V
I D = 10A
1.0
0.8
0.01
V GS = 10V
I D = 20A
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
3.0
2.5
2.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
18
16
14
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
12
T A = 25°C
1.5
1.0
0.5
I D = 10mA
10
8
6
4
2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMG4712SSS
Document number: DS32040 Rev. 6 - 2
3 of 6
www.diodes.com
August 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMG4800LFG-7 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| DMG4800LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4800LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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