- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录404 > DMG4712SSS-13 (Diodes Inc)MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMG4712SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SiMFET |
| FET 型： | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 11.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2296pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4712SSS-13DIDKR |
DMG4712SSS
10,000
C iss
f = 1MHz
10,000
1,000
T A = 125°C
1,000
T A = 85°C
100
C oss
100
C rss
10
T A = 25°C
10
0
5 10 15 20 25
30
1
0
10
20
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
V DS = 15V
I D = 11.2A
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
Q g , T OTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Source Voltage vs. Total Gate Charge
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.01
D = 0.02
R θ JA = 75°C/W
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Transient Thermal Response
DMG4712SSS
Document number: DS32040 Rev. 6 - 2
4 of 6
www.diodes.com
August 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG4800LFG-7 | MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN |
| DMG4800LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 10A TO252 |
| DMG4800LSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 |
| DMG4822SSD-13 | MOSFET DL N-CH 30V 10A SO-8 |
| DMG4932LSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4800LFG | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4800LFG-7 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4800LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4800LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4800LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。