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参数资料
| 型号： | DMG4800LFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.47nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 798pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 940mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN3030（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4800LFG-7DIDKR |
DMG4800LFG
Electrical Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current TJ = 25°C
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
30
-
-
-
-
-
-
1.0
±100
V
μ A
nA
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = 30V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage
V GS(th)
R DS (ON)
|Y fs |
V SD
0.8
-
-
-
-
11
15
8
0.7
1.5
17
24
-
1.0
V
m ?
S
V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10V, I D = 9A
V GS = 4.5V, I D = 7A
V DS = 10V, I D = 9A
V GS = 0V, I S = 1A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 6)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
C iss
C oss
C rss
R g
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
798
128
122
1.37
9.47
1.87
5.60
5.03
4.50
26.33
8.55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V DS = 10V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V DS =0V, V GS = 0V, f = 1MHz
V GS = 5V, V DS = 15V,
I D = 9A
V DD = 15V, V GEN = 10V,
R L = 15 ? , R G = 6 ? , I D = 1A
Notes:
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
6. Guaranteed by design. Not subject to product testing.
30
V GS = 10V
30
25
20
V GS = 4.5V
25
20
V DS = 5V
V GS = 3.0V
15
10
V GS = 2.5V
15
10
T A = 150°C
5
5
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
V GS = 2.0V
0
T A = -55°C
0
0.5 1 1.5
2
1
1.5 2 2.5
3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
DMG4800LFG
Document number: DS31785 Rev. 3 - 2
2 of 6
www.diodes.com
November 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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