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参数资料
| 型号： | DMG4800LFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.47nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 798pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 940mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN3030（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4800LFG-7DIDKR |
DMG4800LFG
0.08
0.03
V GS = 4.5V
0.07
T A = 150°C
0.06
0.02
T A = 125°C
0.05
0.04
0.03
V GS = 2.5V
0.01
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.02
V GS = 4.5V
0.01
0
0
0
5 10 15 20 25
30
0
5
10 15 20
25
30
1.8
1.6
1.4
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.03
0.025
0.02
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
V GS = 4.5V
1.2
0.015
I D = 10A
1.0
V GS = 4.5V
0.01
V GS = 10V
0.8
I D = 10A
V GS = 10V
0.005
I D = 11.6A
0.6
-50
I D = 11.6A
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
1.6
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
16
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
T A = 25°C
1.2
I D = 250μA
I D = 1mA
12
0.8
8
0.4
4
0
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMG4800LFG
Document number: DS31785 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
November 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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