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参数资料
| 型号： | DMG4800LFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.47nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 798pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 940mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN3030（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4800LFG-7DIDKR |
DMG4800LFG
Ordering Information
(Note 7)
Part Number
DMG4800LFG-7
Case
DFN3030-8
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
7. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
DFN3030-8
N48 = Product marking code
YYWW = Date code marking
YY = Last digit of year (ex: 09 for 2009)
N48
WW = Week code 01 to 52
Package Outline Dimensions
A
A3 SEATING PLANE
DFN3030-8
A1
Dim
Min
Max Typ
e
b
R0
.2
00
A
A1
A3
b
0.57 0.63 0.60
0 0.05 0.02
? ? 0.15
0.29 0.39 0.34
D
2.90
3.10 3.00
E
E2
L
D2
e
E
E2
L
2.19 2.39 2.29
? ? 0.65
2.90 3.10 3.00
1.64 1.84 1.74
0.30 0.60 0.45
D2
All Dimensions in mm
D
Suggested Pad Layout
Z
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.59
0.11
X2
DMG4800LFG
Document number: DS31785 Rev. 3 - 2
Y
C
X 1
G
5 of 6
www.diodes.com
X1
X2
Y
C
2.49
0.65
0.39
0.65
November 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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