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参数资料
| 型号： | DMG4800LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.54A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.56nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 798pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.17W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4800LSD-13DIDKR |
DMG4800LSD
30
30
25
V GS = 10V
25
V DS = 5V
V GS = 4.5V
20
15
10
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
20
15
10
T A = 150°C
5
5
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
V GS = 2.0V
0.5 1 1.5
2
0
0
0.5
T A = -55°C
1 1.5 2 2.5 3 3.5
4
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
0.06
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
0.05
0.04
V GS = 4.5V
0.1
V GS = 2.5V
0.03
0.02
0.01
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0
V GS = 4.5V
5 10 15 20 25
30
0
0
5
10 15 20
25
30
1.6
1.4
1.2
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.05
0.04
0.03
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.0
0.8
0.6
-50
V GS = 4.5V
I D = 10A
V GS = 10V
I D = 11.6A
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.02
0.01
0
-50
V GS = 4.5V
I D = 10A
V GS = 10V
I D = 11.6A
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG4800LSD
Document number: DS31858 Rev. 6 - 2
3 of 6
www.diodes.com
March 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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