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参数资料
| 型号： | DMG4800LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.54A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.56nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 798pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.17W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4800LSD-13DIDKR |
DMG4800LSD
2.0
1.6
20
16
T A = 25°C
1.2
0.8
0.4
I D = 250μA
I D = 1mA
12
8
4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
10
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
8
1,000
C iss
6
I D = 9A
100
C oss
C rss
4
2
10
0
5 10 15 20 25
30
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
100,000
10,000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
T A = 150°C
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Total Gate Charge
1,000
T A = 125°C
100
T A = 85°C
10
1
T A = -55°C
T A = 25°C
0
5 10 15 20 25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
DMG4800LSD
Document number: DS31858 Rev. 6 - 2
4 of 6
www.diodes.com
March 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMG4822SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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