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参数资料
| 型号： | DMN2040LTS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 890mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2040LTS-13DIDKR |
DMN2040LTS
0.1
V GS = 1.8V
0.06
0.04
V GS = 4.5V
T A = 150°C
V GS = 2.5V
T A = 125°C
V GS = 4.5V
V GS = 8.0V
0.02
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0
4 8 12 16
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
20
0
0
4
8 12 16 20
I D , DRAIN CURRENT (A)
1.6
1.4
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = 4.5V
0.06
0.04
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.2
I D = 5A
V GS = 10V
I D = 10A
1.0
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.8
0.6
0.02
0
V GS = 10V
I D = 10A
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.6
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
1.4
16
1.2
1.0
0.8
I D = 1mA
12
T A = 25°C
0.6
I D = 250μA
8
0.4
4
0.2
0
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN2040LTS
Document number: DS31941 Rev. 2 - 2
3 of 6
www.diodes.com
October 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2041L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2041L-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2041LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2041LSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2050L | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 20V 5.9A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 5.9A, SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 5.9A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:1.4W; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
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