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参数资料
| 型号： | DMN2040LTS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 890mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2040LTS-13DIDKR |
DMN2040LTS
Package Outline Dimensions
D
TSSOP-8L
Dim
Min Max
Typ
E
See Detail C
a
A
0.09
?
?
1.20
?
?
E1
A1
0.05 0.15
?
A2
0.825 1.025 0.925
b
c
0.19 0.30
0.09 0.20
?
?
D
2.90 3.10 3.025
e
A
b
A2
c
Gauge plane
a
e
E
E1
L
? ? 0.65
? ? 6.40
4.30 4.50 4.425
0.45 0.75 0.60
D
A1
L
All Dimensions in mm
Detail C
Suggested Pad Layout
Y
Dimensions Value (in mm)
X
0.45
X
Y
C1
1.78
7.72
DMN2040LTS
Document number: DS31941 Rev. 2 - 2
C3
C2
G
C1
5 of 6
www.diodes.com
C2
C3
G
0.65
4.16
0.20
October 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2041L-7 | MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23 |
| DMN2041LSD-13 | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8 |
| DMN2050L-7 | MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 |
| DMN2065UW-7 | MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 |
| DMN2075U-7 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2041L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2041L-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2041LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2041LSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2050L | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 20V 5.9A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 5.9A, SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 5.9A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:1.4W; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
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